日経エレクトロニクス 2019/10号

Breakthrough 強いSiに勝てるか
〔第1部:Si vs 新型パワー素子〕 安さと総合力のSiに長期戦で挑む新型

低損失で高耐圧、冷却装置や受動部品を小型・安価にする─。SiCやGaNといった新型パワー半導体が、その特徴を強みにEV(電気自動車)や電車、産業機器、家電などの市場に入り始めた。しかし既存のSiパワー半導体の競争力は依然として高く、新型への世代交代が…(28〜32ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:6352文字

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この特集全体
Breakthrough 強いSiに勝てるか(26〜27ページ掲載)
強いSiに勝てるか
Breakthrough 強いSiに勝てるか(28〜32ページ掲載)
〔第1部:Si vs 新型パワー素子〕 安さと総合力のSiに長期戦で挑む新型
Breakthrough 強いSiに勝てるか(33〜42ページ掲載)
〔第2部:技術・事業の最前線〕 Siは高温対応と300mm化 新型はコスト削減が急務に
Breakthrough 強いSiに勝てるか(43〜53ページ掲載)
〔第3部:「Model 3」を分解・解析〕 テスラ新EVにSiCと新制御 GaNは電動航空機を狙え
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update:19/10/04