日経エレクトロニクス 2019/10号

Breakthrough 強いSiに勝てるか
〔第2部:技術・事業の最前線〕 Siは高温対応と300mm化 新型はコスト削減が急務に

 東芝デバイス&ストレージは、耐圧900VまでのSi-MOSFETと600〜6.5kVのSi-IGBTをパワー半導体の主力事業としており、さらに650V以上のSiCを強化している。Si-IGBTのモジュール事業は2004年に三菱電機に譲渡したものの半導体を社内の応用機器向けに提供するとともに外販もし…(33〜42ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:11147文字

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この特集全体
Breakthrough 強いSiに勝てるか(26〜27ページ掲載)
強いSiに勝てるか
Breakthrough 強いSiに勝てるか(28〜32ページ掲載)
〔第1部:Si vs 新型パワー素子〕 安さと総合力のSiに長期戦で挑む新型
Breakthrough 強いSiに勝てるか(33〜42ページ掲載)
〔第2部:技術・事業の最前線〕 Siは高温対応と300mm化 新型はコスト削減が急務に
Breakthrough 強いSiに勝てるか(43〜53ページ掲載)
〔第3部:「Model 3」を分解・解析〕 テスラ新EVにSiCと新制御 GaNは電動航空機を狙え
関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > 素材(半導体関連)
ビズボードスペシャル > 素材 > 素材(半導体関連)
【記事に登場する企業】
東芝デバイス&ストレージ
パナソニック
富士電機
三菱電機
ローム
update:19/10/04