日経エレクトロニクス 2022/01号

Emerging Tech 電子デバイス
新型パワー半導体本格利活用へ 最優秀賞は産総研のSiC新技術
「パワー・エレクトロニクス・アワード2021」審査会

 (1)産業技術総合研究所・岡本光央氏の研究グループ。SiCパワーMOSFETと、SiC CMOS素子で構成したゲート駆動回路を1チップに集積したSiCパワーICを開発した。センサーや保護回路も集積したSiCスマートパワーICの実現に向けた扉を開いた。(84〜87ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:4467文字

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update:22/01/22