カスタムページの設定変更

20件の検索結果  1〜20件を表示

キーワード |

×が表示されている記事は、一部図表・写真が除かれています。

    最初 | 前へ | 1 | 次へ | 最後
  • 3

    ナノテクの研究開発はこれからが勝負です(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    20031222no.7編集室1編集室ナノテクの研究開発はこれからが勝負ですニュース■電子情報2zno,ganバルク単結晶成長でロードマップ3東エレとibm,cmos向け反射防止膜を開発4nec,p結晶で作る光部品のシステム実験5smic,2004年末から90nm技術量産体制6nedo,45ナノ以降向け配線用絶縁膜技術7nec,従来型siトランジスタでゲート長5nm8米ibm,分子自己組織化で

  • 3

    東北大名誉教授福田氏,ZnOとGaNのバルク単結晶成長でロードマップ発表(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    insideereport2003.12.22insideereport2003.12.2223ニュースニュースニュース目次へ東北大学名誉教授兼同大学多元物質科学研究所研究教授兼同研究所寄附研究部門客員教授福田承生氏http://www.tagen.tohoku.ac.jp/labo/fukuda/indexj.html■電子情報03/11/27東北大名誉教授福田氏,znoとganのバルク単結

  • 3

    東京エレクトロンと米IBM,CMOSデバイス形成向け反射防止膜を共同開発(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    insideereport2003.12.223ニュース請する。ganに関しては,水熱法を応用し溶媒にnh3を使う“安熱法”を研究開発中であるが,三菱化学と共同で申請し,2005年には直径1インチの単結晶化,2007年には2インチの単結晶化を目指す。三菱化学は「当社が持っている蛍光体技術と組み合わせた高効率固体照明部品の開発を目的」(三菱化学科学技術研究センター副社長兼r&td事業部門

  • 3

    NEC,年内にフォトニック結晶で作る光部品の伝送システム実験を実施(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    スドリソグラフィーグループが開発した。このプロセス技術は,数年来開発を進めてきた東京エレクトロンのtriasプラットフォームの300mmウェーハ用絶縁膜cvd装置において最適化されている。なお,この装置はすでに米ibmのニューヨーク州イーストフィッシュキルの工場に納入されている。(西村勝彦)■電子情報03/12/04nec,年内にフォトニック結晶で作る光部品の伝送システム実験を実施nec基礎研

  • 3

    SMIC,北京で早くも2004年末から90nm技術量産体制(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    分散保障素子を試作している段階である。自己クローニングpcとは別に,スラブ型(積層膜でなく一枚岩)pcとそれを用いる光部品の開発も進めている。これまで光通信のネットワークでは,光スイッチ,波長分波器,光配線など,個々の光部品を機械的に接続してきた。スラブ型pcを用いることで,これら別々の部品を集積し,たとえば一辺が1cm程度の単一ノード素子を作ることができる。システム全体の寸法を格段に小さくで

  • 3

    NEDOのプロジェクト,45ナノ世代以降も使用できる配線用絶縁膜技術を開発(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    産体制を整備し,90nm技術は2005年第3四半期から量産体制を整える計画。ただし,顧客の要望に応じて90nm技術の量産も工場の立ち上げとほぼ同時期の2004年末~2005年第1四半期に前倒しする可能性もあるという。現在,多くの中国ファンドリが0.35μm技術を主力としているのに対し,smicのウエハ生産量は2003年10月時点で0.35μm技術が約38%にとどまっている。0.35μm技術のほ

  • 3

    NEC,従来型Siトランジスタでゲート長5nm(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    足させられる「スケーラブル配線用絶縁膜技術」を開発した。今回開発した絶縁膜技術は,次の2点。1点は無機系絶縁膜材料中に設計通りのナノサイズ空孔を導入し,同一原料で異なる誘電率の絶縁膜材料を形成する技術。同時に,空孔の壁材料を特殊なガス処理により強化し,絶縁膜の機械強度を大きく向上させる技術を開発した。これにより,世界で初めて配線用絶縁膜材料の誘電率と機械強度の独立制御に成功し,複数世代に渡って

  • 3

    米IBM,分子の自己組織化によりナノ結晶メモリー素子を製造(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    てチャネル側のゲートを細くし,ゲート長5nmを実現した。ゲート絶縁膜には厚さ1.2nmのsionを使っている。n型の駆動電流[ion]は37μa/μm,漏れ電流[ioff]は5700na/μm,動作電圧[vdd]は0.4v。nec広報部によると,ゲート長5nmというのは2016年までの目標を設定している2002年版半導体ロードマップ(theinternationaltechnologyroad

  • 3

    産総研,4端子駆動型ダブルゲート MOSFETの開発に成功(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    ■電子情報03/12/10産総研,4端子駆動型ダブルゲートmosfetの開発に成功産業技術総合研究所のエレクトロニクス研究部門は2003年12月10日,独立した二つのゲートで4端子駆動動作をするデバイス技術をダブルゲートmosfetで実現した。自在なしきい値電圧制御性などの独自の4端子駆動機能をゲート長80nmのサブ0.1ミクロンデバイスで系統的に実証したもの。この研究発表は,2003年12月

  • 3

    超電導の田中氏,高磁界磁石の開発でナノカーボンに強い興味(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    ■先端材料03/11/28超電導の田中氏,高磁界磁石の開発でナノカーボンに強い興味超電導研究の世界的権威で,財団法人国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所(istecsrl)所長の田中昭二氏は,「カーボンナノチューブやフラーレンといったナノカーボンが,ピンニングセンターとして従来以上に高い磁界を発生する磁石の開発に役立つかもしれない」と本誌との談話で語った。srlでは,ybacuo系と

  • 3

    米Pennsylvania大学,ナノチューブ混入材料の強度と伝導性の微調整を可能に(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    ■先端材料03/11/28超電導の田中氏,高磁界磁石の開発でナノカーボンに強い興味超電導研究の世界的権威で,財団法人国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所(istecsrl)所長の田中昭二氏は,「カーボンナノチューブやフラーレンといったナノカーボンが,ピンニングセンターとして従来以上に高い磁界を発生する磁石の開発に役立つかもしれない」と本誌との談話で語った。srlでは,ybacuo系と

  • 3

    ノリタケ,CNT-FED発光源の輝度ばらつき2.8%と発表(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    ■先端材料03/12/08ノリタケ,cntfed発光源の輝度ばらつき2.8%と発表ノリタケカンパニーリミテドは,同社が開発しているfed(fieldemissiondisplay,電界放出ディスプレイ)方式の情報表示装置の電子放出源にカーボンナノチューブ(cnt)を使っているが,このほど試作機の輝度ばらつきが9.7%,組み立て時に位置合わせ調整した場合では2.8%であったことを明らかにした。同

  • 3

    韓国や台湾でも,日本の最先端ナノテク機器に高い関心(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    上村佐四郎氏)と語っている。輝度のばらつきは,緑色に発光する蛍光体を塗布した画素についての分布で示した(写真2)。試作したcntfedの緑色蛍光体の輝度は,アノード電極に3500vを印加したときの2000cd/m2である。輝度ばらつきはアノード電極に3000vを印加したときの条件で計測し,分布は平均輝度と標準偏差との割合で示した。さらに余谷氏は,電子放出源について,熱cvd法で生成したcntを

  • 3

    日立,微細加工品の量産を可能にするナノインプリント装置を発売(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    知るところだ。彼らは,“我々はナノテクにエントリーしたばかりなので,一番良い装置が必要なのだ”と言ってくれた」と本誌に話す。ナノテクではないが,日本製の液晶ディスプレイ製造装置は世界で最も高い評価を得ている。液晶ディスプレイの製造台数では日本企業はすでに韓国,台湾に追い抜かれたが,製造装置は最初に世界の標準機になった影響力が大きい。日本政府はナノテク関連の分析,計測機器について,液晶向けと同様

  • 3

    日立,携帯機器向け直接型メタノール燃料電池の燃料補給機構を東海と共同開発(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    日立ハイテクノロジーズ,日立インダストリイズが手がける。(発表資料)ナノインプリント技術は,金型を用いたプレス工法をナノスケールに応用したもので,微細な凹凸のある「型」を樹脂薄膜などの被加工材料に押し付けて成形するナノスケールの成型加工技術。微細加工品の線幅は,数十ナノメートルまで可能であり,電子ビームを用いてナノ構造を作製する方法に比べて,非常に安価に作製できる。今回発売する製品は70nmの

  • 3

    東大染谷助教授ら,圧力センサー付き人工皮膚の構造を明らかに(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    タノール燃料濃度を高めることに成功した(関連記事)。この結果,燃料補給にカートリッジ方式を採用することが可能となり,コンセプトモデルを試作したという。今後は,日立が電池セルへのメタノール供給量や濃度,供給圧力などの基本データに基づき燃料カートリッジの基本設計試作を行い,東海がカートリッジの量産化に向けた実用化設計を推進していく方針。(西村勝彦)■マシン03/12/09東大染谷助教授ら,圧力セン

  • 3

    北大の創成科学研究棟が完成(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    ■その他03/11/28北大の創成科学研究棟が完成北海道大学電子科学研究所附属ナノテクノロジー研究センターなどが入居する同大学創成科学研究棟が完成し(写真1),同大学は2003年11月27日竣工式を開催するとともに(写真2),式典参加者に内部を公開した。平成14年度補正および平成15年度予算で総額約65億円を投じたi期およびii期工事では延床面積約1万7000m2が完成し,そのうちナノテクノロ

  • 3

    フォトン産業を展望 ─── 先端技術セミナーから(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    insideereport2003.12.22insideereport2003.12.2222スペシャルフィーチャースペシャルフィーチャースペシャルフィーチャー目次へ■解説産業動向フォトン産業を展望───先端技術セミナーから2003年12月12日,日経ナノテクノロジーは東京コンファレンスセンター(東京千代田区)において第1回日経ナノテクノロジー先端技術セミナーを開催した。テーマは「見えてきた

  • 3

    ナノテクを研究者に留めていては普及せず ── Michael M. Honda氏 米下院議員(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    ■インタビューmichaelm.honda氏米下院議員ナノテクを研究者に留めていては普及せず2003年12月3日,米国のgeorgew.bush大統領は上下両議会を通過した「ナノテクノロジー研究開発法案」に調印。これにより,法案(bill)は,正式な法律(act)である「21世紀ナノテクノロジー研究開発法」(the21stcenturynanotechnologyresearchanddeve

  • 3

    カレンダー(日経ナノテクノロジーPDFplus, 2003/12/22)

    insideereport2003.12.222カレンダーカレンダーカレンダー目次へ日経ナノテクノロジーinsideereport(毎月第2、第4月曜日発行)2003年12月22日号(no.7)購読料金1年(24号)98,000円(本体93,333円)各号4,800円(本体4,572円)購読申し込み問い合わせ電話0356961111発行人●宮田満編集長●黒川卓編集●神保進一/西村勝彦広告●企画

    最初 | 前へ | 1 | 次へ | 最後
パネルを閉じる HOME お知らせ

ページの先頭へ