日経エレクトロニクス 1999/11/15号

技術速報
米HP社が磁気抵抗効果を利用した不揮発性メモリを開発中, 数Mビット規模のチップを試作し動作を確認

 米Hewlett−Packard Co.(HP社)は,磁気抵抗効果を示すトンネル接合(TMR:tunneling magnetoregistive)膜を用いた不揮発性メモリ「MRAM(magnetic random access memory)」を試作した。SRAM並みの速度で書き換え可能,DRAMと同程度のセル面積にできるといった利点をもつMRAMは,ここにきて次世代メモリの最右翼候補として注目を集めている(pp.49—56に関連記事)。(19ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:660文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米ヒューレット・パッカード社
update:18/08/07