デバイスの処理速度を大幅に向上し,かつ省電力化できるとして注目されている次世代半導体ウエハ。それが,SOI(シリコン・オン・インシュレータ)ウエハだ。土台となるシリコン基板の上に絶縁層(一般に酸化シリコン膜)を形成し,さらにその上に薄いシリコン層(SOI層)を形成する。(46〜47ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1837文字
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