日経マイクロデバイス 2000/02号

DeviceTrend
F2露光が最有力候補に急浮上
ポストArF露光技術

 ポストArFエキシマ・レーザー 露光技術として,F2エキシマ・レーザー露光技術が最有力候補に急浮上してきた(図1)。これまでArF露光技術の次の候補として,F2露光のほかに電子ビーム(EB)露光,縮小X線露光が挙がっていた。この中で,F2露光の技術開発が1999年半ばから活発化し,1999年末時点では他の候補より1〜2年先行した。(14〜15ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1825文字

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update:19/09/26