Ｄｅｖｉｃｅ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎ
見えてきた0．13μm以降の　トランジスタ技術ロードマップ
0．13μmは従来技術を延命，0．1μmから新材料を導入

　すでに量産が始まっている0．18μmの次の0．13μmは，従来技術を延命する方向がハッキリしてきた。これに続く0．1μmからは，ゲートへの新材料導入が始まる。高誘電率ゲート絶縁膜やメタル・ゲート電極を導入する。これらの新材料の導入により，0．07μmまで対応可能であることが見えている。さらに微細化を進めた0．05μm以降に向けて，新構造のトランジスタの提案が相次いでいる。(93〜106ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数：11448文字

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