日経マイクロデバイス 2000/02号

Device Solution
見えてきた0.13μm以降の トランジスタ技術ロードマップ
0.13μmは従来技術を延命,0.1μmから新材料を導入

 すでに量産が始まっている0.18μmの次の0.13μmは,従来技術を延命する方向がハッキリしてきた。これに続く0.1μmからは,ゲートへの新材料導入が始まる。高誘電率ゲート絶縁膜やメタル・ゲート電極を導入する。これらの新材料の導入により,0.07μmまで対応可能であることが見えている。さらに微細化を進めた0.05μm以降に向けて,新構造のトランジスタの提案が相次いでいる。(93〜106ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:11448文字

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update:19/09/26