ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ　ＬＳＩ（メモリー）
「ISSCC　2000」のメモリー　DRAMと強誘電体メモリー　の混載技術に注目

　DRAMと強誘電体メモリーの混載技術で着実な進歩があったことが，2000年2月7日〜9日に米国で開かれた「2000　IEEE　Internatinal　Solid—State　Circuits　Conference（ISSCC　2000）」のメモリー関連の特徴だった（ロジック関連は本号，p．151を，発表の詳細や他のセッションの情報はホームページ「http：／／cyberdevice．nikkeibp．co．jp／cyberdevice」を参照）。（大石）　DRA…(149ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数：1086文字

(※)　「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ（お客様情報の入力へ）」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。