日経マイクロデバイス 2000/03号

NewsLetter LSI(メモリー)
「ISSCC 2000」のメモリー DRAMと強誘電体メモリー の混載技術に注目

 DRAMと強誘電体メモリーの混載技術で着実な進歩があったことが,2000年2月7日〜9日に米国で開かれた「2000 IEEE Internatinal Solid—State Circuits Conference(ISSCC 2000)」のメモリー関連の特徴だった(ロジック関連は本号,p.151を,発表の詳細や他のセッションの情報はホームページ「http://cyberdevice.nikkeibp.co.jp/cyberdevice」を参照)。(大石) DRA…(149ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1086文字

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update:19/09/26