日経マイクロデバイス 2000/03号

NewsLetter LSI(メモリー)
ポストArF露光技術に 焦点が集まる 「Microlithography 2000」

 ポストArFエキシマ・レーザー露光技術が,この2月27日〜3月3日に米国サンタクララで開かれる「SPIE’s 25th annual International Symposium on Microlithography(Microlithography 2000)」の焦点になる。最有力候補に浮上したF2エキシマ・レーザー露光関連のセッションが四つに増え,縮小X線(EUV)露光の反射膜やイオン・プロジェクション露光関連のセッションが新設された…(149ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:344文字

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update:19/09/26