ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ　ＬＳＩ（メモリー）
ポストArF露光技術に　焦点が集まる　「Microlithography　2000」

　ポストArFエキシマ・レーザー露光技術が，この2月27日〜3月3日に米国サンタクララで開かれる「SPIE’s　25th　annual　International　Symposium　on　Microlithography（Microlithography　2000）」の焦点になる。最有力候補に浮上したF2エキシマ・レーザー露光関連のセッションが四つに増え，縮小X線（EUV）露光の反射膜やイオン・プロジェクション露光関連のセッションが新設された…(149ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数：344文字

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