日経エレクトロニクス 2000/03/13号

新製品ニュース
オン抵抗が5.5mΩと低い 耐圧30Vのpチャネル型パワーMOS FET

 日立製作所はオン抵抗が5.5mΩと低い耐圧30Vのpチャネル型パワーMOS FET「HAT1048R」を発売する。オン抵抗の最大値は7mΩ。いずれもゲート−ソース間電圧が−10Vにおける値である。 素子を複数のトランジスタで構成し,これを並列接続する手法などを採用することでオン抵抗を下げた。(67ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:588文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
日立製作所
update:19/09/26