日経マイクロデバイス 2000/05号

NewsLetter LSI(ロジック)
「2000 IITC」プレビュー 0.13μm向けの 低誘電率膜技術が進展

 低誘電率膜,配線を利用したキャパシタ,新型CMP(化学的機械研磨)。これらが,2000年6月に米国で開かれる「2000 IEEE International Interconnect Technology Conference(2000 IITC)」の注目株になる。 低誘電率膜では,0.13μm向けに比誘電率が3以下の材料をCu配線プロセスと組み合わせた事例を,米IBM Corp.や富士通が発表する。(168ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:651文字

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エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > 素材(半導体関連)
ビズボードスペシャル > 素材 > 素材(半導体関連)
【記事に登場する企業】
米IBM社
神戸製鋼所
富士通
update:19/09/26