日経マイクロデバイス 2000/05号

NewsLetter LSI(ロジック)
比誘電率2.64の 層間絶縁膜を採用した Cuプロセスを米IBMが開発

 比誘電率2.64の低誘電率層間絶縁膜を採用した0.13μm向けのCu配線プロセスを米IBM Corp.が開発した。チップの演算速度と処理能力をそれぞれ最大30%向上できるという。低誘電率膜にはスピン塗布で形成する米The Dow Chemical Co.の有機系材料「SiLK」を採用した。既存装置や一般に販売されている材料を使うことによって高い信頼性と低コスト化を実現したとする。(168ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:369文字

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米IBM社
米ダウ・ケミカル社
update:19/09/26