日経エレクトロニクス 2000/05/22号

技術速報
米HP社と米Motorola社,2〜3年後にMRAMを製品化へ まずは携帯端末への応用をねらう

 米Hewlett−Packard Co.(HP社)と米Motorola Inc.は,研究開発中の不揮発性メモリMRAM(magnetic RAM)について,製品化計画の概要をそれぞれ明らかにした。記憶素子に磁気抵抗効果を示すトンネル接合(TMR:tunneling magnetoresistive)膜を用いるMRAMは,SRAM並みの高速性,DRAM並の高集積度を実現できる可能性がある。(29ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:688文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米ヒューレット・パッカード社
米モトローラ社
update:19/09/26