日経エレクトロニクス 2000/05/22号

ニュース・ダイジェスト
半導体メーカ3社がDRAM技術の開発で提携

 富士通,東芝,台湾Winbond Electronics社は,設計ルール0.13nmと同0.11nmのDRAM製造技術を共同開発する。2001年末をメドに1GビットDRAMの開発を完了する。富士通と東芝はDRAM分野で従来から提携関係にあるが,今回,4月26日に東芝との提携を発表したWinbond社を加えた。東芝に開発拠点を置き,3社の技術者およそ130名で開発に取り組む。(45ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:258文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
台湾・ウィンボンドエレクトロニクス社
東芝
富士通
update:19/09/26