日経エレクトロニクス 2000/07/03号

ニュース・ダイジェスト
松下電器,低消費電力の量子メモリを試作

 松下電器産業は,Si基板上に量子素子とMOS—FETを混載した量子メモリを試作した。量子メモリの動作電圧が+0.2V〜+0.5Vと低いため,消費電力を従来メモリの1/100に低減できるという。量子素子の負荷抵抗特性を利用し,低電圧動作の双安定回路を実現した。長期間の電池交換不要なメモリ・カードなどへ応用するかまえ。5年後をメドとする。(46ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:238文字

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update:19/09/26