日経エレクトロニクス 2000/08/28号

新製品ニュース
温度センサとしてダイオードを内蔵した 車載システム用MOSFET

 米International Rectifier Co.は,温度センサとしてダイオードを内蔵した車載システム向けnチャネル型パワーMOSFET「IRLBD59N04E」を発売した。動作可能な接合部の最高温度である+175℃に達する時点で,バイアス電流250nAで電圧が0.4Vまで低下し,回路の電流過負荷や過熱を防ぐ。(64ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:606文字

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米インターナショナル・レクティファイアー社
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update:19/09/26