日経エレクトロニクス 2000/08/28号

NETs特別講座
 1チップ・ケータイの要 SiGe技術を詳説する(2) Design Conference 2000 Japanから

 今回は,消費電流や雑音に影響を与えるパラメータと,SiGeチップの原理などについて説明する。前回,トランジスタの動作周波数,消費電流,雑音などに影響を与えるパラメータを挙げた(表1)。そして,おもに動作周波数を高める手法について述べた。(189〜197ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:7269文字

この記事をオンラインで読む
買い物カゴに入れる440円
買い物カゴに入れる(読者特価)220円
 特価が表示されない場合は下の (※)をご覧ください
この雑誌を購入する
お得な定期購読 (手続き画面へ移動します)

(※) 「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。

関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
米マキシム・インテグレイティッド・プロダクツ社
update:19/09/26