日経エレクトロニクス 2000/11/20号

講座 メモリ
SRAM並みの高速性を 実現したDRAM技術
任天堂の次世代ゲーム機向けシステムLSIに搭載 Mark−Eric Jones Vice President & General Manager of Intellectual Property  米MoSys, Inc.

米MoSys,Inc.は,DRAMと同じメモリ・セル構造を採りながらSRAM並みのアクセス性能を実現したメモリ「1T—SRAM」を開発した。ネットワーク機器や民生機器などに搭載するシステムLSIへの埋め込みを想定する。0.18nmルールのプロセス技術で作るLSIに埋め込んだ際のランダム・アクセス時間は5ns未満と短い。(171〜178ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:8375文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
テイクアンドギヴ・ニーズ
任天堂
米モシス社
update:19/09/26