日経マイクロデバイス 2001/03号

論文[LSI設計]
高集積化の限界を打破する 6F2セルのDRAM技術を開発
複雑化の問題を一気に解決

 DRAMの高集積化の限界を打破する開放ビット線型6F2セル技術を開発した。DRAMは高集積,高速,高信頼性,低消費電力の飛躍的な向上を目指した技術の研究開発が進んでいるが,この中で特に重要なのが高集積化である。この方向を目指して,一つの技術的な解を示すことができたと確信している。このほか,高速化と高信頼性を実現する技術も合わせて開発した。(141〜147ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:6951文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
日立製作所
マイクロンメモリジャパン
update:19/09/26