日経マイクロデバイス 2001/04/01号

特集
DRAM フラッシュ FeRAM MRAM メモリーLSIは材料で勝負
Part1  動向●急進する新材料メモリー,開発・量産競争が本格化 Part2  開発●各材料に共通な理論で開発効率を一気に向上 Part3  量産●新材料の量産典型例,FeRAMラインを見る

FeRAMやMRAMは,微細化・高集積化に対するスケーラビリティが現段階では見えていない。材料技術を駆使し,この問題を解決する開発が始まった。DRAMやフラッシュは微細化の前倒しが進み,スケーリングの壁といわれる0.1μmが間近に迫ってきた。この壁を突破するために新材料の導入を本格化していく。(61ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:757文字

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update:19/09/26