日経マイクロデバイス 2001/04/01号

μレポート[LSI製造]
変わり始めた 次世代露光シナリオ EUVが急接近
欧米と日本で戦略かい離

次世代露光技術のシナリオが大きく変わり始めた。これまでのシナリオはF2エキシマ・レーザー露光技術の次に電子ビーム(EB)投影露光技術,その先にEUV(extreme ultraviolet,または縮小X線)露光技術があるという内容だった。(148〜150ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2665文字

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update:19/09/26