日経マイクロデバイス 2001/04/01号

技術レター[LSI製造&LSI設計]
多孔質版の 「SiLK」が登場 比誘電率2を達成

 比誘電率を従来の約2.65から2に下げた低誘電率(low—k)層間絶縁膜を,米The Dow Chemical Co.が開発した。同社のlow—k膜「SiLK」を多孔質にすることにより,設計ルール0.1μmに対応できるようにしている。多孔質構造を採用して材料の密度を下げることは,「比誘電率を2.5以下にするために必須」(同社)だった。(29ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:544文字

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米ダウ・ケミカル社
update:19/09/26