日経マイクロデバイス 2001/04/01号

技術レター[LSI製造&LSI設計]
0.05μm対応の EUV向けマスクを 米Intelが開発

 0.05μmプロセスへの適用を目指し,従来に比べて30%微細化したEUV(extreme ultraviolet,または縮小X線)露光技術向けマスクを米Intel Corp.が開発した。EUV露光を実用化する上で,高品質なマスクを開発することが最も大きな課題になっている。KrFエキシマ・レーザーなどの光露光技術では,光を透過させる透過型マスクを採用している。(29ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:574文字

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米インテル社
update:19/09/26