日経マイクロデバイス 2001/06号

技術レター[LSI製造&LSI設計]
ソニーと東芝が 0.1〜0.07μmプロセスの 共同開発を発表

 0.1〜0.07μmのシステムLSIプロセスをソニーと東芝が共同開発すると発表した。2002年9月までに0.1μm技術,2004年3月までに0.07μm技術を開発する。0.1μmはKrFエキシマ・レーザー露光,0.07μmはArFエキシマ・レーザー露光を前提にする。総開発費は150億円であり,ソニーと東芝で折半する。(29ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:301文字

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update:19/09/26