日経マイクロデバイス 2001/07号

ブレークスルー
デバイス性能直結のプロセスを開発
バリヤー・メタルが不要な配線技術

1974年生まれ,26才。1999年慶応義塾大学大学院理工学研究科物資科学専攻修士課程修了。同年NECシリコンシステム研究所に入社し,現在に至る。1997年に日本化学会講演奨励賞を受賞。 0.1μm以降のプロセスに向けたバリヤー・メタルを不要にできる配線技術をNECラボラトリーズが開発した(図1)。(3ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1467文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
NEC
NECラボラトリーズ
慶應義塾大学(慶応義塾大学)
慶應義塾大学大学院
update:19/09/26