日経マイクロデバイス 2001/07号

解説[LSI製造]
Cu,low—kだけでは不十分 米国プロジェクトから成果続出
高速化頭打ちを打破するLSI配線技術

 Cu配線や低誘電率(low—k)膜などの従来技術の延長では到底超えられない高速化の壁を打破する新技術が登場した(図1)。1998年から米国で始まった国家プロジェクト「FCRP(Focus Center Research Program)」の配線研究の成果である。(139〜144ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:5401文字

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update:19/09/26