日経マイクロデバイス 2001/07号

μレポート[LSI製造]
NOR型フラッシュ市場の 半分狙う多値技術を 米AMDと富士通が実用化
書き込み時間の制御で多値化を実現

メモリー・セル内の2カ所にそれぞれ電荷を蓄積する新しい多値技術を米Advanced Micro Devices, Inc.(AMD)と富士通が共同開発し,2002年に実用化する。この技術を使ったフラッシュ・メモリーは,従来のNOR型市場の半分を置き換え,複数のしきい電圧を使う従来の多値フラッシュ・メモリーを全面的に置き換える可能性がある。(149〜150ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2490文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
米AMD社
富士通
update:19/09/26