日経マイクロデバイス 2001/09号

技術レター[LSI製造&LSI設計]
大容量不揮発性メモリーへ 薄膜化と代替メモリーが 競う「NVSMW」

 不揮発性メモリーの大容量化に向け,トンネル絶縁膜の新しい薄膜化技術とフラッシュ・メモリー代替を狙うメモリー技術に期待が集まっている姿が,8月13日〜15日に米国モントレーで開かれた「IEEE 2001 NVSMW Non—Volatile Semiconductor Memory Workshop」に見えた。 薄膜化技術では,米Yale大学と米New York州立大学の発表が注目を集めた。(37ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:845文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米エール大学
update:19/09/26