日経マイクロデバイス 2001/10号

技術レター[LSI製造]
超微量元素の検出技術や GaN系の希薄磁性半導体が 登場した「応用物理学会」

 ウエーハ上の超微量元素の検出技術やGaN系の希薄磁性半導体など,半導体に革新をもたらす可能性を持った要素技術が,9月11日〜14日に開かれた「2001年秋季第62回応用物理学会学術講演会」に登場した。微量元素の検出技術は,富士通研究所,東芝,松下電器産業,住友金属工業が共同開発した。(31ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:696文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
応用物理学会
住友金属工業
東芝
パナソニック
富士通研究所
update:19/09/26