日経マイクロデバイス 2001/10号

技術レター[LSI製造]
NAND型フラッシュ 1Gチップの製品発表で 韓国Samsungが先行

 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が1GビットNAND型フラッシュ・メモリーの製品化を発表した。設計ルール0.12μmを使った1Gビット・チップ単体と,1Gビット・チップを2個積層してパッケージングした2Gビット品の電気特性評価用サンプルを出荷した。NAND型最大手の東芝は9月末に1Gビット・チップを製品化する予定で,製品発表では東芝に先行した。(31ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:289文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
韓国・サムスン・エレクトロニクス社
東芝
update:19/09/26