日経マイクロデバイス 2001/10号

技術レター[LSI製造]
カーボン・ナノチューブ上の 論理回路,米IBMが 選択的な熱処理技術で実現

 カーボン・ナノチューブを使った論理回路の形成に,米IBM Corp.が成功した。同社はすでに2001年4月にカーボン・ナノチューブのトランジスタ技術を開発しており,今回はこの技術を応用してインバータ(NOT)回路を形成した。p型カーボン・ナノチューブの一部を選択的にn型に変える熱プロセスを使っている。(31ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:245文字

この記事をオンラインで読む
買い物カゴに入れる110円
買い物カゴに入れる(読者特価)55円
 特価が表示されない場合は下の (※)をご覧ください

(※) 「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。

関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
車・機械・家電・工業製品 > ナノテクノロジー > ナノデバイス・MEMS
【記事に登場する企業】
米IBM社
update:19/09/26