日経マイクロデバイス 2001/10号

産業ウオッチャ
GaAsの製造歩留まりを 上げる新プロセスを開発 中間層に新材料を導入

 米Motorola Inc.は,GaAsの製造歩留まりを上げるプロセスを開発したと発表した。同社は技術の詳細について明らかにしていないが,ベースになるSi層とGaAs層との間の中間層に新たな材料,製法を導入したという。これまでSi層とGaAs層の界面で割れが生じやすいという問題があったが中間層がそれを解決した。このプロセスを使ったデバイスを2年以内に製品化する予定である。(29ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:312文字

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【記事に登場する企業】
米モトローラ社
update:19/09/26