日経マイクロデバイス 2001/11号

技術レター[LSI製造&LSI設計]
東工大とSTARC La2O3ゲート絶縁膜で リークを「世界最小」に

 東京工業大学総合理工学研究科は,半導体理工学研究センター(STARC)と共同で,「世界最小のリーク電流」(同電子機能システム専攻教授の岩井洋氏)を実現するLa2O3高誘電率(high—k)ゲート絶縁膜を開発した。成膜条件などを最適化することによって達成した。(39ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:384文字

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東京工業大学
半導体理工学研究センター
update:19/09/26