日経マイクロデバイス 2001/11号

技術レター[LSI製造&LSI設計]
比誘電率が3と低い エッチング・ストッパを 米Dow Chemicalが開発

 米The Dow Chemical Co.は,比誘電率が約3と小さいエッチング・ストッパ「Ensemble ES」を開発した。有機Si系のポリマー材料を使っており,スピン塗布で形成する。同社の低誘電率(low—k)層間絶縁膜「SiLK」との組み合わせを考慮し,膜特性を最適化している。サンプル出荷は2001年第4四半期,量産出荷は2002年第1四半期から開始する予定である。(39ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:286文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
米ダウ・ケミカル社
update:19/09/26