日経マイクロデバイス 2001/11号

技術レター[LSI製造&LSI設計]
ボラジン系材料を使い 比誘電率1.9以下の low—k膜を合成

 三菱電機は,ボラジン系の高分子材料を使って比誘電率を1.9以下にできる低誘電率(low—k)層間絶縁膜を開発した。シミュレーション技術を駆使して高耐熱特性を持つBN分子を,低誘電特性を持つベンゼンに類似した電子構造に変えることで,低誘電特性と高耐熱特性を両立したという。合成した材料について実測した結果は,比誘電率が1.87,耐熱温度が465℃だった。(39ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:300文字

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三菱電機
update:19/09/26