日経マイクロデバイス 2001/12号

新製品ファイル
新製品ファイル
「セミコン・ジャパン 2001」特集 解像度70nmを達成 300mmで105枚/時 Si/SiO2界面の劣化を防ぐ 成膜温度を低減 300mm対応技術を搭載 少量・多品種に対応 ±1μmの位置決め 数日で欠陥を特定 粗大粒子を原液のまま測定 消費電力を70%削減 設置面積を1/3に縮小 基板搬送時の発塵を抑制

 70nmの解像度を達成したArFエキシマ・レーザー・スキャン露光装置(図1)。カタログ上では0.1μmだが,解像度を追求した場合に実力値としてそこまで上がるという。(131〜136ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:6528文字

この記事をオンラインで読む
買い物カゴに入れる385円
買い物カゴに入れる(読者特価)193円
 特価が表示されない場合は下の (※)をご覧ください

(※) 「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。

関連カテゴリ・企業名
update:19/09/26