日経マイクロデバイス 2003/04号

μレポート[LSI製造]
新星メモリー「RRAM」の 電導特性の解析結果を 米Sharp Labが初披露
メカニズムの一部が明らかに

夢のメモリー「MRAM(magnetic RAM)」を凌ぐポテンシャルを持つとして,昨年12月の「2002 International Electron Devices Meeting(IEDM)」で大きな関心を集めた「RRAM(Resistor RAM)」。このほど開発元の米Sharp Laboratories, Inc.が,記憶素子の電導特性の解析結果を初めて公開,メカニズムの一部を明らかにした。(21〜22ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2808文字

この記事をオンラインで読む
買い物カゴに入れる165円
買い物カゴに入れる(読者特価)83円
 特価が表示されない場合は下の (※)をご覧ください

(※) 「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。

関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米シャープ・ラボラトリーズ・オブ・アメリカ社
update:19/09/26