日経マイクロデバイス 2003/04号

μレポート[LSI製造]
露光技術の実用化時期 ArFは早くても2007年 EUVは2009年
開発の実情を米Intelが追認

次世代露光技術の方向が明確になってきた。ArFエキシマ・レーザー露光からF2エキシマ・レーザー露光への移行は,ArF露光が実用的に限界に達する65nm近辺のパターンからであり,移行時期は早くてもF2露光の量産対応が可能になる2007年以降になる。同じくF2露光からEUV(extreme ultraviolet)露光への移行は,50nm近辺で2009年以降になる。(23〜24ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2173文字

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インターナショナル・テクノロジー・ロードマップ・フォー・セミコンダクターズ
米インテル社
update:19/09/26