日経マイクロデバイス 2003/04号

μレポート[LSI製造]
high—k使ったFETで 移動度を3倍に向上 Seleteが達成
開発方針の妥当性を検証

高誘電率(high—k)ゲート絶縁膜を使い,移動度を従来の3倍に向上する技術が登場した。これまでhigh—k膜の最大の課題は電子の移動度が劣化してしまうことだった。今回,半導体先端テクノロジーズ(Selete)はhigh—k膜へのダメージを減らすことで移動度の劣化を抑えた。 Seleteは65nmノードのトランジスタ技術を開発している(図1)。(26〜27ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2548文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
半導体先端テクノロジーズ
update:19/09/26