日経マイクロデバイス 2003/04号

技術レター[LSI製造&LSI設計]
活況を呈したISIF FeRAMの大容量・混載化で 富士通,TI,松下など競演

 強誘電体メモリー(FeRAM)の国際会議「15th International Symposium on Integrated Ferroelectrics(ISIF 2003)」が,3月9日〜12日に米国コロラド・スプリングで開催された。強誘電体の代表的材料であるPZTを推進する企業とSBTを使う企業が,それぞれの優位性をアピールするなど,活況を呈した。(39ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1503文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米テキサス・インスツルメンツ社
東京工業大学
パナソニック
富士通
update:19/09/26