技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］
活況を呈したISIF　FeRAMの大容量・混載化で　富士通，TI，松下など競演

　強誘電体メモリー（FeRAM）の国際会議「15th　International　Symposium　on　Integrated　Ferroelectrics（ISIF　2003）」が，3月9日〜12日に米国コロラド・スプリングで開催された。強誘電体の代表的材料であるPZTを推進する企業とSBTを使う企業が，それぞれの優位性をアピールするなど，活況を呈した。(39ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数：1503文字

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