日経マイクロデバイス 2003/04号

論文[LSI製造]
露光のボトルネック解消へ 次世代の光とEUVに対応
(3)マスク欠陥検査技術

The MIRAI project is working on an innovation in mask defect inspection technology, which has the risk of becoming the bottleneck on future lithography. In order to comply with the 45nm process technology, the wavelength of the inspection equipment laser is reduced, and a special sensor for this laser has…(103〜110ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:9733文字

この記事をオンラインで読む
買い物カゴに入れる440円
買い物カゴに入れる(読者特価)220円
 特価が表示されない場合は下の (※)をご覧ください

(※) 「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。

関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
半導体MIRAIプロジェクト
update:19/09/26