日経マイクロデバイス 2004/01号

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いよいよ見えてきた 「ひずみエンジニアリング」の方向性

 「2003 International Electron Devices Meeting(2003 IEDM)」の初日12月8日,「CMOS Devices」のセッションでは「Strained Silicon Device」のタイトルの下で,ひずみSi MOS FET関連の8件の講演が行われた。主な内訳は,微細バルクひずみSi MOS関連3件,ひずみSOI(silicon on insulator)関連3件,SiGeを使わずに素子分離や膜応力などを用いたひずみSi MOS関連2件で…(117ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:505文字

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東京大学
半導体MIRAIプロジェクト
update:19/09/26