日経マイクロデバイス 2004/01号

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high—kの残る課題は しきい電圧シフトと信頼性

 「2003 International Electron Devices Meeting(2003 IEDM)」初日の12月8日,セッション4の「Hf—based Gate Dielectrics」では7件の論文が発表された。高誘電率(high—k)ゲート絶縁膜は2001年の百花繚(りょう)乱期を過ぎ,2002年半ばからHfO系に収束する傾向を見せている。2002 IEDMでHfO系へのNの導入が話題を集め,懸案だった耐熱性を改善する見通しがついた。(117ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:422文字

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update:19/09/26