日経マイクロデバイス 2004/01号

Report[Logic]
米Intel,90nmノード向け ひずみSi CMOSの構造を明らかに
「2003 IEDM」で報告

 ひずみSiを使ったMOS FETに関する注目すべき発表が「2003 International Electron Devices Meeting(2003 IEDM)」に続出した。中でも目を引いたのが,90nmノード向けひずみSi CMOSの構造を明らかにした米Intel Corp.である(図1〜図4)注1)。pMOSとnMOSの構造を作り分けている。(122〜123ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2643文字

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update:19/09/26