日経マイクロデバイス 2004/02号

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次世代露光は“混沌”から脱却 液浸ArFとF2が正面対決へ

 「混沌とする露光技術の開発にようやく道筋が見え始めた」。このような認識が露光技術者の間に広がっている。目前の65nmノードは,高開口数(NA)のArFエキシマ・レーザー露光技術で乗り切る。45nmは,液浸ArF露光技術とF2エキシマ・レーザー露光技術が正面対決する。32nm以降はEUV(extreme ultraviolet)露光が担う。 特に注目を集めているのが,「液浸ArF vs. F2」である。(28ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:789文字

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update:19/09/26