日経マイクロデバイス 2004/02号

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浮遊ゲートにSi微結晶使った 新型メモリーが続出

 今年の「2003 International Electron Devices Meeting(2003 IEDM)」では,メモリーの論文が増加したことが大きな特徴として挙げられるが,その中でも特に論文数の増加が目立ったのはSi微結晶メモリーである。これは,フラッシュ・メモリーの浮遊ゲートを多数のSi微結晶に置き換えた構造を持つ。(86ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:770文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米モトローラ社
update:19/09/26