日経マイクロデバイス 2004/02号

Inside Logic 囲み
25年前に発明されたSIMOX法 米IBMによって花開く

 SIMOX法誕生当時は,イオン打ち込み装置のビーム量では時間がかかり,NTT研究所の“遊び”に過ぎなかった。1988年に完全空乏型FETなど各種CMOSデバイスが試作され,さらに課題だったイオン打ち込み時間の短縮,Si結晶品質の改善が続けられた。 1986年にイオン打ち込み装置を,NTTと米Eaton Corp.が共同で開発し,O+ビーム電流は100μAレベルから100mAレベルへ1000倍改善された。(62ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:815文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
米IBM社
update:19/09/26