日経マイクロデバイス 2004/02号

Cover Story Part2
米Intelが次世代メモリーに提言 「リソを超える微細化技術が必要」
メモリー

「リソグラフィ・インディペンデント」が,フラッシュ・メモリーの後を継ぐ新型メモリー開発における重要な条件となる。新型メモリーが市場で存在感を増す2010年前後,フラッシュのアキレス腱はリソグラフィ技術となっている可能性が高いからである。(30〜39ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:11258文字

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この特集全体
Cover Story(25ページ掲載)
リソの存在意義を問う
Cover Story Part1(26〜29ページ掲載)
露光が追い付かないメモリー 微細化の効果が薄れるロジック
Cover Story Part2(30〜39ページ掲載)
米Intelが次世代メモリーに提言 「リソを超える微細化技術が必要」
Cover Story Part3(40〜45ページ掲載)
2004年●ひずみSi Intelが90nmで導入
関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
米IBM社
インターナショナル・テクノロジー・ロードマップ・フォー・セミコンダクターズ
米インテル社
独インフィニオン・テクノロジーズ社
韓国・サムスン・エレクトロニクス社
米Z社
東京工業大学
東京大学
東芝
東北大学
米ノースカロライナ州立大学
日立製作所
台湾・マクロニックス・インターナショナル社
米モトローラ社
update:19/09/26