日経マイクロデバイス 2004/02号

Cover Story Part3
2004年●ひずみSi Intelが90nmで導入

 ひずみSiはトランジスタのチャネル部分にひずみを加え,キャリア移動度を高める技術である。高速化が重要なマイクロプロセサでは欠かせない技術になってきた。実際,米Intel Corp.は90nmのマイクロプロセサにひずみSiを導入する計画であり,今回の2003 IEDMで技術の詳細を明らかにした(図2)。(40〜45ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:3947文字

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この特集全体
Cover Story(25ページ掲載)
リソの存在意義を問う
Cover Story Part1(26〜29ページ掲載)
露光が追い付かないメモリー 微細化の効果が薄れるロジック
Cover Story Part2(30〜39ページ掲載)
米Intelが次世代メモリーに提言 「リソを超える微細化技術が必要」
Cover Story Part3(40〜45ページ掲載)
2004年●ひずみSi Intelが90nmで導入
関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > 素材(半導体関連)
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ビズボードスペシャル > 素材 > 素材(半導体関連)
【記事に登場する企業】
米IBM社
米インテル社
米AMD社
台湾・タイワン・セミコンダクター・マニュファクチュアリング社
東京大学
東芝
富士通
米マサチューセッツ工科大学(MIT)
update:19/09/26